一种简单可扩展的石墨烯图案化方法及其在CdSe纳米带/石墨烯肖特基结太阳能电池中的应用
介观与纳米尺度物理
2015-05-20 v1
摘要
我们开发了一种简单且可扩展的石墨烯图案化方法，采用电子束或紫外光刻结合剥离工艺。该方法具有以下优点：高图案分辨率和高对准精度，无需额外刻蚀或苛刻工艺，对任意基底具有普适性，与硅微电子技术兼容，可轻松应用于多种基于石墨烯的器件，特别是在需要大规模石墨烯图案的阵列化应用中。我们已将该方法应用于制备CdSe纳米带（NB）/石墨烯肖特基结太阳能电池，该电池在集成纳米光电子系统中具有潜在应用。典型的制备态太阳能电池表现出优异的光伏行为，其开路电压约为0.51 V，短路电流密度约为5.75 mA/cm2，能量转换效率约为1.25%。我们将电池的高性能归因于所图案化的高性能石墨烯，该石墨烯能与CdSe NB形成理想的肖特基接触。我们的结果表明，所开发的石墨烯图案化方法和所制备的CdSe纳米带（NB）/石墨烯肖特基结太阳能电池均具有可实现的应用前景。
引用
@article{arxiv.1011.4412,
title = {A Simple and Scalable Graphene Patterning Method and Its Application in CdSe Nanobelt/Graphene Schottky Junction Solar Cells},
author = {Yu Ye and Lin Gan and Lun Dai and Yu Dai and Xuefeng Guo and Hu Meng and Bin Yu and Zujin Shi and Guogang Qin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1011.4412},
year = {2015}
}
备注
11 pages, 5 figures