用于分析 IRIS 太阳光谱的 Si IV/O IV 电子密度诊断

基于 Si IV $\lambda$1402.77 与 O IV $\lambda$1401.16 的大强度比，来自界面区成像光谱仪（IRIS）的紫外爆发和耀斑带太阳光谱表明，在 0.1 MK 的过渡区温度下存在 $>10^{12}$ cm$^{-3}$ 的高电子密度。本工作报道了来自 2014 年 10 月 24 日 21:41 UT 达到峰值的 X 级耀斑的弱 O IV $\lambda$1343.51 谱线的罕见观测。该谱线被用于建立 Si IV $\lambda$1402.77 与 O IV $\lambda$1401.16 强度比随密度变化的理论预测，推荐在高密度 regime 中使用。该方法利用了考虑高密度下双电子复合抑制的新的依赖于压强的电离分数。它应用于 10 月 24 日耀斑的两个耀斑核观测序列。第一个序列显示密度在七分钟时间内于 $3\times 10^{12}$ 到 $3 \times 10^{13}$ cm$^{-3}$ 之间变化，而第二个位置在三分钟时间内显示约 $2\times 10^{12}$ cm$^{-3}$ 的稳定密度值。