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高 Tc 超导体应用中晶界问题的一种可能解决方案

超导电性 2009-11-07 v1

作者: G. Hammerl , A. Herrnberger , A. Schmehl , A. Weber , K. Wiedenmann , C. W. Schneider , J. Mannhart

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摘要

结果表明，通过采用由晶粒排列、掺杂和晶粒结构优化组成的三重方法，可以极大提高高 Tc 导线的临界电流密度。根据模型计算，在 77 K 下，平均晶粒排列偏差为 10 度时，可实现 4x10^6 A/cm2 的电流密度。基于该方法，本文提出了一条制造具竞争力的高 Tc 电缆的途径。

关键词

高 Tc 超导体晶界临界电流密度晶粒排列掺杂晶粒结构

引用

@article{arxiv.cond-mat/0208253,
  title  = {A possible solution of the grain boundary problem for applications of high-Tc superconductors},
  author = {G. Hammerl and A. Herrnberger and A. Schmehl and A. Weber and K. Wiedenmann and C. W. Schneider and J. Mannhart},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0208253},
  year   = {2009}
}

备注

3 pages, 5 figures