用于高 Q 值薄膜微谐振器的声子带隙屏蔽
介观与纳米尺度物理
2015-06-18 v1
摘要
声子晶体可以控制谐振器与其支撑结构之间的声学耦合。我们对高 Q 值氮化硅薄膜微加工了声子带隙屏蔽，并研究了薄膜及其支撑结构的受迫位移谱。我们发现，在观测到的带隙内，非薄膜模式的密度和振幅被大幅抑制，且薄膜模式免受外部机械驱动的干扰高达 30 dB。
引用
@article{arxiv.1312.0962,
title = {A phononic bandgap shield for high-Q membrane microresonators},
author = {P. -L. Yu and K. Cicak and N. S. Kampel and Y. Tsaturyan and T. P. Purdy and R. W. Simmonds and C. A. Regal},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.0962},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures