电子自旋共振对电阻率的新型效应

我们将众所周知的磁阻现象（材料在横向磁场中的额外电阻率）扩展到一个新的、尚未探索的 regime：除横向磁场外，还施加共振频率的横向交流场。在磁场中，电子自旋能级发生塞曼分裂。在共振交流场中，我们揭示了一条新的动量弛豫通道，其中处于上塞曼能级的电子可通过在晶格中产生自旋涨落激发而退激至下塞曼能级（类似于电子自旋共振（ESR）谱学中发生的情况）。我们预言了由这一新机制引起的额外电阻率，其中塞曼分裂电子的动量随机化通过玻色子激发（自旋涨落）发生。我们计算了该额外电阻率的量级。整个工作基于将爱因斯坦对平衡普朗克公式的推导推广到近平衡系统。