关于希格斯玻色子衰变为 $Z$ 玻色子和 $J/\Psi (\Upsilon)$ 的注记

本文分析了稀有衰变 $h\to Z V$，其中 $V$ 表示窄的 $c\bar{c}$ 或 $b\bar{b}$ 共振态，如 $J/\Psi$ 或 $\Upsilon$ 态。在标准模型中，这些道可通过树图级跃迁 $h\to ZZ^*$（随后虚 $Z^*\to V$）以及圈图诱导过程 $h\to Z\gamma^*$（随后 $\gamma^*\to V$）进行。我们的分析表明，对于底夸克偶素末态，来自圈图诱导过程的 $h\to Z \Upsilon$ 衰变率很小，前者跃迁占主导地位；而对于粲夸克偶素末态，由 $h\to Z\gamma^* \to Z V$ 诱导的 $\Gamma(h\to Z J/\Psi)$ 和 $\Gamma(h\to Z\Psi(2S))$ 可能与树图级 $h\to ZZ^*\to Z V$ 跃迁给出的贡献相当。