光激发一维离子 Hubbard 模型中冲击电离的新途径

利用含时 Lanczos 方法，我们研究了半填充一维离子 Hubbard 模型在强 Mott 绝缘体区域内、瞬态激光脉冲影响下的非平衡动力学。在平衡态下，Mott 区域内增加交错势会减小 Mott 能隙并展宽 Hubbard 带，为冲击电离创造有利条件。激光激发后观察到冲击电离，其发生取决于交错势和激光泵浦频率。通过分析动能、离子能和库仑相互作用能的时间演化，我们识别出一种冲击电离的新机制，其中过剩的离子势能转化为额外的双占据——这与过剩动能驱动该过程的传统机制不同。我们进一步表明，冲击电离源于同一阶光子激发驱动的激发态之间的干涉。这些结果为在强关联电子系统中实现冲击电离开辟了新途径。