导电阈值分布系统中传输起始的模型

我们提出了一个由仿真支持的模型，用于解释无序系统中导电阈值随温度变化的效应。具有随机分布局部导电阈值的阵列存在于从超导体到金属纳米晶阵列的系统中。热涨落为克服某些局部阈值提供能量，实际上从而消除这些阈值对于整个阵列的全局导电阈值而言是重要的。我们将这种热能推理与 percolation 理论相结合，预测全局阈值为零的温度。我们还研究了最近邻电容相互作用对有效充电能的影响。最后，我们提出了蒙特卡罗模拟结果，作为函数呈现温度下沿阵列最低成本路径。论文的主要结果是：随着温度升高，导电阈值线性下降：$V_t(T) = V_t(0) (1 - 4.8 k_BT P(0)/ p_c)$，其中 $1/P(0)$ 是取决于颗粒半径和颗粒间距的有效充电能，$p_c$ 是 underlying 格子的 percolation 阈值。该理论的预测与 one- 和 two-dimensional 系统中的实验结果良好地比较一致。