考虑取向散布及其时间演化的静态再结晶平均场模型
材料科学
2020-05-18 v1
摘要
本文中，我们发展了一个平均场模型，用于模拟晶体材料在静态再结晶过程中的微观结构演化。该模型考虑了一组在代表平均微观结构性质的均匀介质中生长的单个单元（即晶粒与亚晶粒）。计算生长速率所需的单个单元及介质的平均边界性质，被统计估计为微观结构拓扑与晶体学取向分布的函数。再结晶晶粒源于单元间的竞争生长。在给出算法后，将该模型与采用二维 Vertex 模型进行的再结晶全场模拟进行比较。结果表明，平均场模型准确预测了边界性质随时间的演化，以及若干再结晶参数，包括动力学与晶粒取向。该结果使人们能够研究取向散布在决定边界性质、再结晶晶粒形成及再结晶动力学中的作用。该模型可利用实验获得的输入来研究变形与再结晶微观结构之间的关系。
引用
@article{arxiv.2005.07230,
title = {A mean-field model of static recrystallization considering orientation spreads and their time-evolution},
author = {Arthur Després and Michael Greenwood and Chad Sinclair},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.07230},
year = {2020}
}