一种几何阻挫的三聚体基Mott绝缘体
强关联电子
2018-05-30 v1
摘要
Ba4NbRu3O12的晶体结构基于垂直于平面的伸长Ru3O12三聚体构成的三角平面。我们报道其为半导体，其Weiss温度和有效磁矩分别为-155 K和2.59 μB/f.u.，且磁化率与比热数据表明其在近4 K处呈现磁有序。比热中显著的类Sommerfeld T线性项(gamma = 31(2) mJ/mole-K^2)证明了高密度低能态的存在。电子结构计算揭示费米能处的电子态位于Ru3O12三聚体上，且计算所得电子态密度在费米能附近高而连续——换言之，密度泛函理论计算该材料为金属。我们的结果表明Ba4NbRu3O12是一种几何阻挫的三聚体基Mott绝缘体。
引用
@article{arxiv.1805.03124,
title = {A Geometrically Frustrated Trimer-Based Mott Insulator},
author = {Loi T. Nguyen and T. Halloran and Weiwei Xie and Tai Kong and C. L. Broholm and R. J. Cava},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.03124},
year = {2018}
}
备注
25 pages, 10 figures "to be published in Physical Review Materials"