基于 Stoner-Wohlfarth 模型的 xMR 传感器器件模型
计算物理
2015-12-09 v1
摘要
Stoner-Wohlfarth 模型提供了一种有效的解析模型来描述 xMR 传感器内磁层的行为。结合对磁电阻率的适当描述，可以推导出一个高效的器件模型，这对于优化电路设计是必要的。模型参数通过对包含不同外加磁场下测量电阻值的特定应用成本函数进行全局优化来确定。考察了几个应用案例并用于验证该器件模型。此外，通过与微磁能量最小化结果的比较，验证了 SW 模型的适用性。
引用
@article{arxiv.1408.5217,
title = {A Device model for xMR Sensors based on the Stoner-Wohlfarth model},
author = {Florian Bruckner and Bernhard Bergmair and Hubert Brueckl and Pietro Palmesi and Anton Buder and Armin Satz and Dieter Suess},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.5217},
year = {2015}
}