利用集成超导单光子探测器探测单个InGaAs量子点中的载流子弛豫瓶颈
介观与纳米尺度物理
2014-09-02 v3
摘要
使用集成超导单光子探测器，我们探测了嵌入在GaAs脊形波导中的单个自组装InGaAs量子点中的超慢激子捕获和弛豫动力学。通过片上和非片上检测的时间分辨发光测量显示，随着非共振注入载流子数量的增加，载流子弛豫时间从1.22±0.07 ns连续减小到0.10±0.07 ns。通过比较非片上时间分辨光谱与光谱集成的片上测量，我们确定了上升时间（τ_r）中观察到的动力学源于低激发水平下的弛豫瓶颈。通过与片上发射信号中单激子跃迁的时间动力学比较，我们得出结论：占据体材料和二维浸润层连续态中的载流子的存在绕过了弛豫瓶颈。观察到上升时间具有特征性的-2/3幂律依赖关系，表明量子点中捕获的载流子与二维浸润层连续态之间存在俄歇型散射，从而绕过了声子弛豫瓶颈。
引用
@article{arxiv.1407.0593,
title = {A carrier relaxation bottleneck probed in single InGaAs quantum dots using integrated superconducting single photon detectors},
author = {G. Reithmaier and F. Flassig and P. Hasch and S. Lichtmannecker and K. Müller and J. Vuckovic and R. Gross and M. Kaniber and J. J. Finley},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.0593},
year = {2014}
}