掺杂莫特绝缘体中的4D-XY量子临界性
超导电性
2007-05-23 v3 强关联电子
摘要
基于最近关于超洁净YBCO单晶的数据,为重欠掺杂铜氧化物超导体的超流密度提出了一种新的唯象理论。这些数据呈现出令人费解的偏离Uemura标度行为,以及随着 量子临界点接近时斜率的下降。我们表明,这种行为可以通过(3+1)维XY模型描述的由超导相量子涨落引起的准粒子有效电荷重整化来理解。我们计算了超流密度及其斜率的重整化,解释了新的唯象理论,并预测了其在量子临界点附近的最终失效。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0504735,
title = {4D-XY quantum criticality in a doped Mott insulator},
author = {M. Franz and A. P. Iyengar},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0504735},
year = {2007}
}
备注
Version published in PRL. For additional info and related work visit http://www.physics.ubc.ca/~franz