基于非简并双光子吸收利用非制冷GaN光电二极管的三维红外成像
光学
2016-04-20 v2
摘要
我们利用最近演示的直接带隙半导体光电二极管中极非简并双光子吸收的数量级增强，通过使用亚带隙飞秒脉冲在GaN探测器上选通IR飞秒照明脉冲（1.6 um和4.93 um），对3D结构进行扫描成像。虽然横向分辨率受常规成像标准限制，但纵向或深度分辨率可小于一个波长，取决于探测器元件内此非线性相互作用中的脉冲宽度。该成像系统可适应中红外(mid-IR)和近红外(near-IR)的广泛波长，而无需修改探测与成像系统。
引用
@article{arxiv.1510.08967,
title = {3-D IR imaging with uncooled GaN photodiodes using nondegenerate two-photon absorption},
author = {Himansu S. Pattanaik and Matthew Reichert and David J. Hagan and Eric W. Van Stryland},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.08967},
year = {2016}
}
备注
9 pages, 6 figures