大剪切下硅的经典势与第一性原理计算比较
材料科学
2007-09-12 v1
摘要
利用第一性原理技术研究了体硅中{111}面沿<110>方向的均匀剪切，以更好地理解滑移系（shuffle set）和滑移系（glide set）平面的应变特性。为了找到在大剪切应变下给出最佳结果的势函数，使用三种经验势（Stillinger-Weber、Tersoff 和 EDIP）进行了类似的计算。还利用这些势计算了广义层错能以补充本研究。结果表明，Stillinger-Weber 势能更好地重现了第一性原理结果，无论是在能量变化的平滑度和幅度方面，还是在滑移系（shuffle set）中的剪切局域化方面。
引用
@article{arxiv.0709.1590,
title = {Comparison between classical potentials and ab initio for silicon under large shear},
author = {Julien Godet and Laurent Pizzagalli and Sandrine Brochard and Pierre Beauchamp},
journal= {arXiv preprint arXiv:0709.1590},
year = {2007}
}