二维颗粒绝缘体中的零偏压异常
强关联电子
2015-06-04 v1
摘要
我们比较了两种超薄银膜的隧穿态密度（TDOS），一种是均匀膜，另一种是颗粒膜，在不同无序度下的表现。均匀膜随着无序度的增加，显示出从 Altshuler-Aronov (AA) 零偏压异常到类 Efros-Shklovskii (ES) 库仑能隙的转变。另一方面，颗粒膜即使在深度绝缘区域也表现出 AA 行为。我们分析了数据，发现颗粒性为 TDOS 引入了一个新的区域。虽然电导率由颗粒团簇之间的跳跃主导，因此是绝缘的，但 TDOS 探测的是单个团簇的性质，而该团簇是“金属性”的。
引用
@article{arxiv.1203.5504,
title = {Zero bias anomaly in a two dimensional granular insulator},
author = {Netanel Ossi and Liora Bitton and Dmitri B. Gutman and A. Frydman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.5504},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures