用于电子EDM搜索的ThO $H^3\Delta_1$态中的塞曼相互作用

电子电偶极矩的当前上限$|d_\mathrm{e}|<8.7\times 10^{-29} e {\cdotp} {\rm cm}$（90%置信度）是通过使用一氧化钍（ThO）分子在其$H ^3\Delta_1$电子态的$J=1$转动能级设定的[Science $\bf 343$, 269 (2014)]。ThO的这个态由于部分地由于其$\Omega$双重结构，对与磁场或几何相位相关的系统误差非常鲁棒。通过将实验操作在$\Omega$双重态之间的$g$因子差最小化的条件下，可以进一步抑制这些系统误差。我们从实验和理论上考虑了ThO $H^3\Delta_1$态的$g$因子，包括对$\Omega$双重态、转动能级和外电场的依赖性。计算值和测量值吻合良好。我们发现$\Omega$双重态之间的$g$因子差在$J=2$中比在$J=1$中小，并在实验可达到的电场下达到零。这意味着$H,J=2$态应该比$H,J=1$态对许多系统误差更加鲁棒。