在多铁性材料上写入磁斯格明子

本文报道了一种理论方案，通过电极尖端局部施加电场（而非电流）在多铁性手性磁体薄膜样品上电学创建磁斯格明子。该方法可归因于多铁性材料中斯格明子自旋与电极化之间的相互耦合，并代表了一种用于潜在基于斯格明子的存储器件且无焦耳热损耗的独特技术。