浸入连续谱中的外尔点：来自超导纳米结构的一个例子

超导纳米结构中的外尔点是低能拓扑奇点的一个通用最小模型。我们将该纳米结构连接到正常引线，从而将拓扑奇点浸入引线中电子态的连续谱里。这给出了另一个简单且通用的模型，有助于理解连续谱存在时低能奇点的修正。与引线的隧穿耦合产生新的低能标度 $\Gamma$，所有拓扑特征在该尺度上均被抹平。我们研究了此尺度下纳米结构中的超导电流与正常电流，并展示了如何利用隧穿电流探测外尔点。重要的是，我们发现拓扑荷并不集中于一点，而是散布在该点附近的参数空间中。我们引入并计算了由此产生的拓扑荷密度。我们还揭示，向正常引线的泵浦有助于探测和研究该点附近的拓扑效应。