含缺陷石墨烯中反铁磁畴的弱铁磁性

利用平均场近似下的近藤哈密顿量，研究了具有随机分布磁性缺陷/空位的石墨烯的磁性质。研究表明，当温度达到临界点 $T_{N}$ 时，含缺陷石墨烯会发生从顺磁相到反铁磁（AFM）相的磁相变。缺陷离散被视为导致多重成核进入反铁磁畴的一个可归因原因。由于每个畴的特征在于与不同子晶格相关的缺陷的部分补偿磁化强度，它们在磁场中共同表现出超顺磁行为。该理论定性地描述了实验数据，前提是考虑了反铁磁畴结构的温度依赖性。