Tevatron 上 W+2 喷注产生——VECBOS 与 CompHEP 的比较

我们给出了在 Tevatron 能量下质子-反质子碰撞中对 W+2 喷注末态有贡献的所有子过程的计算结果。该计算使用 CompHEP 软件包完成。与 VECBOS 生成器在截面和不同分布上的详细比较显示，两者在蒙特卡洛精度水平上一致。因此，对 VECBOS 生成器进行了额外的独立检验。作为补充，基于 CompHEP 的新生成器允许研究单个子过程，如 $Wb\bar{b}$ 或 $Wc\bar{c}$。这一点对于研究单顶或标准模型希格斯信号在 Tevatron 的 $Wb\bar{b}$ 背景部分尤为重要。