重访从独占性半轻 B 到π衰变提取$|V_{ub}|$

Jonathan M Flynn; Juan Nieves

doi:10.1103/PhysRevD.76.031302

重访从独占性半轻 B 到π衰变提取$|V_{ub}|$

高能物理 - 唯象学 2008-11-26 v2

作者: Jonathan M Flynn , Juan Nieves

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摘要

我们更新了从独占性半轻 $B$ 到 $\pi$ 衰变中提取 $|V_{ub}|$ 的工作，结合实验部分分支比信息与理论形状因子计算，并采用了最近修订的 HPQCD 关于形状因子 $f_+$ 和 $f_0$ 的结果。我们使用 Omnes 表示来提供形状因子所需的参数化。提取的值为 $10^3 |V_{ub}| = 3.47\pm0.29\pm0.03$ ，这与在 CKM 拟合中使用所有其他输入提取的 $|V_{ub}|$ 惊人地一致，但与从包含性半轻 $B$ 到 $\pi$ 衰变提取的 $|V_{ub}|$ 显示出一些分歧。

关键词

CKM 矩阵独占性半轻衰变形状因子 HPQCD Omnes 表示分支比

引用

@article{arxiv.0705.3553,
  title  = {|Vub| from exclusive semileptonic B to pi decays revisited},
  author = {Jonathan M Flynn and Juan Nieves},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0705.3553},
  year   = {2008}
}

备注

5 pages, 1 figure. Version accepted for publication

重访从独占性半轻 B 到π衰变提取$|V_{ub}|$

摘要

关键词

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