splayed 列状缺陷森林中的涡旋漂移

我们研究单个通道在由 splayed 列状缺陷构成的随机针扰动景观中的尺度特性。此类相关缺陷可通过诱导核裂变或通过直接重离子辐照等方式注入到 II 类超导体中。结果常常是对涡旋的高度有效针扰，这例如会显著增强临界电流。通过尺度论证结合极值统计学，获得了单个通道在此类无序环境中漂移指数 $\zeta$ 和自由能指数 $\omega$。与点无序情况不同，我们发现这些指数对列状缺陷低能概率分布细节具有依赖性。分析结果与二维和三维数值传递矩阵计算的结果表现出良好的一致性。