电子穿越多位点分子桥输运中的振动诱导非弹性效应

我们从理论上分析了由电子-振子相互作用引起的分子结电子输运中的非弹性效应。分子桥由一条相同的类氢相互作用原子周期链模拟，为电子隧穿提供了一组能态。为了避免使用先进计算技术研究多能级桥的非弹性电子输运时不可避免地出现的困难，我们提出并发展了一种半唯象方法。该方法基于散射矩阵形式体系内的Buttiker退相干模型。所提方法的优点在于，它允许解析地研究分子结（包括多能级桥）输运中的各种非弹性效应。在此，我们应用该方法来描述与电子能量转移到振动声子相关的特征，这些特征出现在电子的非弹性隧穿谱中。在单能级桥的特定情况下，我们的结果与使用非平衡格林函数方法进行自洽计算所得结果一致，验证了所提方法的有效性。