磁场下的垂直耦合双量子点
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
通过精确对角化研究垂直耦合双量子点的基态和激发态性质。发现魔数总角动量在总能最小时反映了电子配置在层内相关与层间相关支配之间的临界。该临界位置由层间电子隧穿强度和磁场强度共同决定。魔数应在远红外光吸收光谱中产生可观察的效果，因为当约束势不同时 Kohn 定理不再成立。这在本文中通过包含 Landau 能级混合的数值计算得到了确认。我们的计算充分考虑了自旋自由度的影响。一个关键特征是：系统的总自旋 S 与魔数角动量紧密相关，因为存在强电子相关。因此，随着磁场变化，S 与总角动量同步跳变。一个重要后果是，在某些磁场区域应会发生自旋阻塞（单电子隧穿受阻），这是由于自旋选择规则导致的。由于同时存在层内和层间相关，垂直耦合双量子点的自旋阻塞比单量子点更容易实现。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/9901254,
title = {Vertically coupled double quantum dots in magnetic fields},
author = {Hiroshi Imamura and Peter A. Maksym and Hideo Aoki},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9901254},
year = {2009}
}
备注
to be published in Phys. Rev. B15