具有方向灵敏度的单电子分辨率半导体探测器中速度依赖的暗物质相互作用
高能物理 - 唯象学
2019-06-05 v1 仪器与探测器
摘要
我们研究了暗物质与普通物质相互作用的速度与反冲动量依赖性。我们特别聚焦于单电子分辨率半导体探测器，其允许对亚 GeV 暗物质质量进行实验评估。我们发现，在取决于探测器材料的特定质量范围内，暗物质相互作用产生以日调制为特征的信号。此外，我们发现该调制的精细结构对暗物质相互作用的速度与动量依赖性敏感。我们确定了这些效应占优的最佳质量范围。
引用
@article{arxiv.1903.08654,
title = {Velocity Dependent Dark Matter Interactions in Single-Electron Resolution Semiconductor Detectors with Directional Sensitivity},
author = {Matti Heikinheimo and Kai Nordlund and Kimmo Tuominen and Nader Mirabolfathi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.08654},
year = {2019}
}
备注
15 pages, 11 figures