M87中变化的TeV辐射作为喷流形成的表现？

本文提出，在M87中观测到的变化的TeV辐射可能产生于一个“饥饿”的磁层区域，该区域上方建立了与VLBA喷流相关的外流。研究表明，黑洞附近辐射低效流发射的MeV光子湮灭，可以在开放磁力线上注入种子电荷，其密度敏感地依赖于吸积率，$n_\pm\propto\dot{m}^{4}$。对于与推断的喷流功率以及ADAF模型拟合观测SED相对应的吸积率，注入的正负电子对密度被发现比Goldreich-Julian密度小几倍。还表明，在间隙中加速的电子（正电子）对周围光子的逆康普顿散射可导致大的多重性，$\sim 10^3$，同时仍允许能量高达几TeV的光子自由逃逸出系统。如果种子电荷密度低于Goldreich-Julian值，则估计的间隙宽度不小于$0.01 r_s$。间隙辐射的甚高能功率可以轻易解释H.E.S.S.探测到的TeV源的亮度。注入正负电子对密度对吸积率的强依赖性应使间隙辐射高度间歇。我们还简要讨论了该机制在人马座A$^\star$上的应用。