二维半导体中的谷极化涨落、双稳性与开关
介观与纳米尺度物理
2022-07-20 v2 材料科学
混沌动力学
摘要
我们从理论上研究了原子薄半导体中激子的非线性谷极化动力学。由于激子-激子相互作用产生的有效磁场,显著的极化会减缓谷弛豫。我们探讨谷极化激子的时间动力学,并研究极化激子气体的稳态。我们展示了谷极化的双稳性,其中形成了低谷极化与高谷极化两个稳态。我们研究了此类系统中的涨落与噪声效应。我们估算了谷极化自相关函数,并证明在高极化 regime 下,涨落表现为高振幅与长弛豫时间。我们研究了由系统噪声引起的低与高谷极化态之间的开关,并证明在高泵浦速率的宽广范围内,高谷极化态更具优势。
引用
@article{arxiv.2204.04622,
title = {Valley polarization fluctuations, bistability, and switching in two-dimensional semiconductors},
author = {M. A. Semina and M. M. Glazov and C. Robert and L. Lombez and T. Amand and X. Marie},
journal= {arXiv preprint arXiv:2204.04622},
year = {2022}
}
备注
11 pages, 6 figures