d+1/2 维中的真空极化

我们研究了自旋子QED在“d+1/2维”中的单圈真空极化函数（$\Pi_{\alpha \beta}$）的主要性质，即场定义在 ${\mathcal M} \subset {\mathbb R}^{d+1}$ 上，使得 ${\mathcal M} = \{(x_0,...,x_d) | x_{d}\geq 0 \}$，并在边界 $\partial{\mathcal M} = \{(x_0,...,x_d) | x_{d}= 0 \}$ 上满足袋状边界条件。我们获得了由垂直于边界的外部恒定电场引起的感应电流的精确表达式。我们证明，对于2+1维的特殊情况，感应电流存在一个横向分量，该分量局域在靠近 $\partial{\mathcal M}$ 的区域。该电流是纯粹由边界引起的宇称破缺效应。