无需信号顶点重建的B工厂中时间依赖CP破坏测量

我们提出了一种方法，用于在不重建信号衰变顶点的情况下测量B工厂中由 $\Upsilon(4S) \to B^0\overline{B}^0$ 事件产生的 $B^0$ 衰变中的时间依赖CP破坏。该方法利用了标记 $\overline{B}^0$ 衰变时间对 $B^0$ 信号中CP破坏的敏感性。它依赖于紧凑的 $e^+e^-$ 相互作用区和优异的顶点分辨率，这使得能够精确测量标记介子的产生顶点与衰变顶点之间的位移。我们利用简化模拟研究了 $B^0\to\pi^0\pi^0$ 衰变的应用，该模拟近似了SuperKEKB对撞机上Belle II实验的条件。我们的方法在混合诱导CP破坏方面的灵敏度达到了标准方法需要20倍样本量才能达到的水平。当纳入 $B \to \pi\pi$ 同位素分析时，预期结果将减少 $\phi_2$ 解的简并度并显著提高精度。这项工作为此前无法触及的CP破坏研究开辟了道路，增强并加速了Belle II及未来味物理计划的探索能力。