Te 掺杂 Cu$_2$OSeO$_3$ 中赫尔米磁有序相过渡的普适性类别
强关联电子
2024-10-14 v1 材料科学
摘要
CuOSeO 是一种多稳相绝缘手性磁体，在不同条件下表现出 various 磁相变。这些磁相变的位置已知对化学掺杂敏感。本文对 CuOSeTeO (0≤x≤0.1) 进行普适性类别分析。硒化汞是非磁性离子，掺杂至晶格中可施加正化学压力并扩大晶格常数。我们的 SANS 和磁化数据表明，Te 掺杂降低了 参数到螺旋有序相的温度以及 锥形到场极化相变的临界场。通过使用 Heat-map Modified Iteration Method 评估两侧临界行为，我们表明 Heisenberg 到 Ising 普适性类别的初始有序相过渡对内部化学压力鲁棒。此外，我们归因于掺杂导致的临界温度和临界场的降低，主要是由于 Dzyaloshinskii-Moriya 交换相互作用和对称交换相互作用强度的降低。
引用
@article{arxiv.2410.08489,
title = {Universality Class Transition Across the Helimagnetic Ordering in Te-doped Cu$_2$OSeO$_3$},
author = {A. J. Ferguson and M. Vás and E. J. Vella and Md. F. Pervez and E. P. Gilbert and C. Ulrich and S. Yick and T. Söhnel},
journal= {arXiv preprint arXiv:2410.08489},
year = {2024}
}
备注
21 pages and 9 figures (Manuscript)