超窄TaS2纳米带
材料科学
2021-04-28 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
在二维（2D）材料中施加额外的限域作用可进一步调控其电子、光学和拓扑性质。然而，超窄纳米带（NRs）的合成仍具挑战，尤其是对于过渡金属硫族化合物（TMDs），合成宽度小于50 nm的TMD纳米带一直难以实现。在此，我们报道了超窄TaS2纳米带的气相合成。该纳米带在碳纳米管的空腔中生长，从而限制了其横向尺寸和层数，同时使其免受环境影响而稳定。纳米带达到单层（ML）极限，宽度低至2.5 nm。原子分辨率扫描透射电子显微镜（STEM）揭示了超窄纳米带的详细原子结构，我们观察到纳米带内有序缺陷阵列的此前未见过的原子结构超调制现象。基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理计算显示了平带以及边缘和边界局域态的存在，并有助于确定超调制的原子构型。纳米管模板合成代表了一条独特、可转移且可广泛部署的超窄TMD纳米带生长路径。
引用
@article{arxiv.2012.05399,
title = {Ultra-Narrow TaS2 Nanoribbons},
author = {Jeffrey D. Cain and Sehoon Oh and Amin Azizi and Scott Stonemeyer and Mehmet Dogan and Markus Thiel and Peter Ercius and Marvin L. Cohen and Alex Zettl},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.05399},
year = {2021}
}