用于存内计算应用的具有堆叠无结纳米线的超高密度 3D 垂直 RRAM
应用物理
2020-12-02 v1 新兴技术
摘要
冯·诺依曼瓶颈是数据密集型应用的明显限制，使存内计算（IMC）方案受到关注。由于大型数据集通常存储于非易失性存储器（NVM）中，已提出多种基于新兴存储器的方案，如 OxRAM，其主要依赖占用面积大的单晶体管（1T）单 OxRAM（1R）位元。为解决该面积问题，同时保持 1T1R 位元所提供的编程控制，我们提出将环绕栅极堆叠无结纳米线（1JL）与 OxRAM（1R）技术结合，以创建超高密度的 3D 存储柱。我们制备、表征并仿真了纳米线无结晶体管，以确定整个存储柱的电流条件。最后，基于集成电路强调仿真程序（SPICE）仿真，我们成功演示了多达三层存储柱的搜索逻辑操作，每层一个操作数。
引用
@article{arxiv.2012.00061,
title = {Ultra-High-density 3D vertical RRAM with stacked JunctionLess nanowires for In-Memory-Computing applications},
author = {M. Ezzadeen and D. Bosch and B. Giraud and S. Barraud and J. -P. Noel and D. Lattard and J. Lacord and J. -M. Portal and F. Andrieu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.00061},
year = {2020}
}