BESIII上的U玻色子
高能物理 - 唯象学
2008-11-26 v2 高能物理 - 实验
摘要
已提出O(MeV)自旋为1的U玻色子来介导正负电子对与O(MeV)暗物质之间的相互作用,以解释SPI/INTEGRAL观测到的511 keV γ射线。本文通过过程和研究了此类U玻色子在BESIII上的可观测性。我们发现BESIII和高亮度B工厂在探测此类U玻色子方面具有相当的能力。如果U玻色子主要衰变为暗物质(即不可见),BESIII可以将U玻色子与正负电子对之间的耦合(见正文)测量到O(10^{-5})量级,并覆盖能够解释511 keV γ射线观测的参数空间。另一方面,如果U主要衰变为正负电子对,BESIII可以探测到O(10^{-3})量级的,但由于不可避免的QED本底,很难探索511 keV γ射线测量所允许的参数空间。
引用
@article{arxiv.hep-ph/0701001,
title = {U-boson at BESIII},
author = {Shou-hua Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:hep-ph/0701001},
year = {2008}
}
备注
3 refs added, minor text modification, PRD version