利用腔量子电动力学技术保护量子比特的两个方案：原子速度色散与量子记忆损耗之间的不等式
量子物理
2017-10-10 v1 其他凝聚态物理
原子物理
摘要
本文分析了有损超导腔内原子对场态施加的损害。为探究此类效应，我们提出两种方案来保护量子比特免受不完美量子记忆的退相干效应影响：第一种方案通过对原子施加准瞬时相位冲击，第二种方案则通过受控共振与色散相互作用。我们立即证明，在两种方案中，量子比特在腔内的驻留时间均显著增加，且第二种方案增加更为明显。通过我们的计算，每种方案中原子束制备的不精确度与腔的品质之间自然地产生了一种关系。这一结果是前所未有的，并设定了增加量子比特驻留时间的规则。
引用
@article{arxiv.1710.02900,
title = {Two proposals to protect a qubit using CQED techniques: inequality between atomic velocity dispersion and losses of a quantum memory},
author = {J. L. Santos and J. G. G. de Oliveira and J. G. Peixoto de Faria and M. C. Nemes},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.02900},
year = {2017}
}
备注
10 pages, 10 figures, submitted for publication