具有 InGaAs/GaAsSb II 型多量子阱吸收区的两微米波长高速光电二极管
应用物理
2019-05-20 v1
摘要
当前工作于 1.55 {\mu}m 波长波段的光通信系统，可能在未来几年内无法持续满足对数据容量日益增长的需求。利用近期发展的空芯光子带隙光纤和掺铥光纤放大器，在约 2 {\mu}m 波长处开启新的光谱窗口，由于这些组件在该波长下具有低损耗和宽带宽特性，是提升传输容量的一种有前景的方案。然而，作为关键组件，已报道的 2 {\mu}m 波长高速光电探测器仍无法与 1.55 {\mu}m 波长波段者相比，这制约了该新光谱窗口的可行性。在本工作中，我们首次展示了一种面向 2 {\mu}m 应用的高速单行载流子光电二极管，其吸收区采用与 InP 晶格匹配的 InGaAs/GaAsSb II 型多量子阱。该器件在 -3 V 偏压下显示出 25 GHz 的 3dB 带宽，据我们所知，是所有工作于 2 {\mu}m 波长范围的 III-V 族和 IV 族光电探测器中最快的。
引用
@article{arxiv.1905.07258,
title = {Two-micron wavelength high speed photodiode with InGaAs/GaAsSb type-II multiple quantum wells absorber},
author = {Yaojiang Chen and Zhiyang Xie and Jian Huang and Zhuo Deng and Baile Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.07258},
year = {2019}
}