面向 CMOS 光子学的二维极端趋肤深度工程
光学
2021-04-07 v2
摘要
极端趋肤深度工程（e-skid）可应用于集成光子学以调控波导的倏逝场。在此我们证明 e-skid 可在两个方向上实现，从而确定性地调控倏逝波，实现具有增强功能的密集集成。特别地，通过增大趋肤深度，我们实现了具有大工作带宽的大间隙、无弯曲定向耦合器。在此我们在 CMOS 光子学代工厂中实验验证了用于集成光子学的二维 e-skid，并展示了在 1.44 {\mu}m 间隙下的强耦合。
引用
@article{arxiv.2005.14265,
title = {Two-dimensional extreme skin depth engineering for CMOS photonics},
author = {Matthew van Niekerk and Saman Jahani and Justin Bickford and Pak Cho and Stephen Anderson and Gerald Leake and Daniel Coleman and Michael L. Fanto and Christopher C. Tison and Gregory A. Howland and Zubin Jacob and Stefan F. Preble},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.14265},
year = {2021}
}
备注
13 pages, 9 figures