可调边缘态的二维 Dirac 半导体体
介观与纳米尺度物理
2025-09-08 v1
摘要
我们理论上提出了一种利用双层修改的Bernevig-Hughes-Zhang (BHZ)模型设计二维 Dirac 半导体体的方法。通过引入新的原子位点，我们在费米能级处工程出平坦的能带。在双层体系中，层间耦合将这些平坦能带分离， resulting in 两个 Dirac 点，保持时间反演和 inversion 镜像对称性。两个 Dirac 点由一个维数的费米弧边缘态相连，其束缚性经通过量化传输共振峰得到确认。值得注意的是，Dirac 点的位置可以通过调整层间耦合强度和对称性来精确调节。
关键词
引用
@article{arxiv.2509.03943,
title = {Two-dimensional Dirac semimetals with tunable edge states},
author = {Lizhou Liu and Cheng-Ming Miao and Qing-Feng Sun and Ying-Tao Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2509.03943},
year = {2025}
}