最佳掺杂 Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+\delta}$ 中的二维与三维非公度调制

J. P. Castellan; B. D. Gaulin; H. A. Dabkowska; A. Nabialek; G. Gu; Z. Islam; X. Liu; S. K. Sinha

doi:10.1103/PhysRevB.73.174505

最佳掺杂 Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+\delta}$ 中的二维与三维非公度调制

超导电性 2009-11-11 v1 材料科学

作者: J. P. Castellan , B. D. Gaulin , H. A. Dabkowska , A. Nabialek , G. Gu , Z. Islam , X. Liu , S. K. Sinha

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摘要

对高温超导体 Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+\delta}$ 最佳掺杂单晶样品的 X 射线散射测量揭示了三种不同非公度电荷调制的存在，每种调制均导致沿 {\bf b} 方向的单胞尺寸大致增加五倍。最强的散射来自众所周知的 (H, K $\pm$ 0.21, L) 调制及其谐波。然而，我们还观察到在 L 值处达到峰值的宽衍射，这些 L 值与表征已知调制结构的 L 值互补。这些衍射特征对应的关联长度分别约为沿 {\bf c} 方向的一个单胞尺寸（ $\xi_c$ $\sim$ 20 $\AA$ ）以及平行于非公度波矢方向的 $\xi_b$ $\sim$ 185 $\AA$ 。我们将这些特征分别解释为源于三维非公度畴及其界面。此外，我们研究了在 (1/2, K $\pm$ 0.21, L) 及相关波矢处达到峰值的最新发现的非公度调制。在此我们显式研究了该散射的 L 依赖性，发现这些电荷调制在本质上具有二维性质，在双层厚度尺度上存在弱关联，且对应于基面内的短程各向同性关联长度。我们将这些新的非公度调制与使用 STM 形貌术在 Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+\delta}$ 中观察到的电子纳米结构联系起来。

关键词

非公度调制电荷密度波 X 射线散射 Bi2Sr2CaCu2O8+delta 高温超导体 STM 形貌术

引用

@article{arxiv.cond-mat/0507505,
  title  = {Two and Three Dimensional Incommensurate Modulation in Optimally-Doped Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+\delta}$},
  author = {J. P. Castellan and B. D. Gaulin and H. A. Dabkowska and A. Nabialek and G. Gu and Z. Islam and X. Liu and S. K. Sinha},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0507505},
  year   = {2009}
}

备注

8 pages, 8 figures

最佳掺杂 Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+\delta}$ 中的二维与三维非公度调制

摘要

关键词

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