重费米子结中的隧穿

本文简要概述了理解正常金属与含有占据部分填充 f 轨道电子的金属之间隧穿过程的近期理论与实验进展。在重费米子材料中，由于导带态与 f 轨道态之间的强杂化，准粒子的有效质量远超裸电子质量。近藤晶格构成了一类重费米子系统，其中 f 电子态的平均占据数接近整数。因此，隧穿进入近藤晶格必然涉及针尖电子隧穿至近藤晶格 f 电子态的共隧穿过程。这种共隧穿过程表现为微分电导随外加电压变化的 Fano 线型，这已在近期对各种近藤晶格系统的实验中常规观测到。为了阐明这些观点，本文讨论了当针尖中的单粒子态也是导带与 f 态杂化产物时的隧穿结问题，即两种重费米子材料之间的隧穿。