利用背栅和侧栅调控近藤效应——应用于碳纳米管超导量子干涉器件和π结
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1 超导电性
摘要
我们最近展示了首个基于单壁碳纳米管(CNT)约瑟夫森结的超导量子干涉器件(SQUID)[1: J. P. Cleuziou, W. Wernsdorfer, V. Bouchiat, T. Ondarcuhu and M. Monthioux, Nature Nanotech. 1, 53, (2006).], http://www.nature.com/nnano/journal/v1/n1/pdf/nnano.2006.54.pdf 。我们证明了每个结中的量子限域会诱导出分立的量子点(QD)能级结构，该结构可通过两个横向静电栅极进行控制。此外，背栅电极可以改变量子点势垒的透明度，从而允许改变量子点态与超导接触之间的杂化程度。在本补充材料中，我们进一步展示了该技术，表明对于给定的共振，近藤耦合可以通过改变背栅电压进行连续调控。这使我们得以证明[1]，碳纳米管约瑟夫森结可用作栅控π结，即跨越碳纳米管结的电流-相位关系的符号可以通过栅极电压进行调控。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0610622,
title = {Tuning the Kondo effect with back and side gates - Application to carbon nanotube superconducting quantum interference devices and pi-junctions},
author = {J. -P. Cleuziou and W. Wernsdorfer and V. Bouchiat and Th. Ondarcuhu and M. Monthioux},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0610622},
year = {2007}
}
备注
5 pages, 3 figures, additional supporting material to ref. 1