通过莫比乌斯带的电子输运调控：散粒噪声
介观与纳米尺度物理
2009-11-06 v1 材料科学
摘要
我们利用格林函数技术探索了通过连接两个金属电极的莫比乌斯带的电子输运。基于紧束缚模型，采用参数化方法来表征通过这种桥接系统的电子输运，并观察到输运性质显著受到 (a) 两个通道间的横向跳跃强度和 (b) 带与电极的耦合强度的影响。在此背景下，我们还描述了电流涨落的噪声功率，它通过计算法诺因子 () 获得，提供了关于电子关联的关键信息。对这种电流涨落的了解为制造高效电子器件提供了重要思路。
引用
@article{arxiv.0910.1218,
title = {Tuning of electron transport through a moebius strip: shot noise},
author = {Santanu K. Maiti},
journal= {arXiv preprint arXiv:0910.1218},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 8 figures