调控自下而上制备的钒-四氰基乙烯纳米结构中分子介导的自旋耦合
材料科学
2013-07-01 v1
摘要
我们利用低温扫描隧道显微镜的原子操控技术，从V原子和四氰基乙烯(TCNE)配体制备了杂化磁性复合物。通过隧穿谱学，我们观察到自旋极化的分子轨道以及近藤行为。对于含有两个V原子的复合物，即使自旋极化轨道保持不变，近藤行为也可因不同的分子排列而被抑制。这归因于通过单个TCNE分子的可变自旋-自旋（即V-V）铁磁耦合，密度泛函计算支持了这一解释。
引用
@article{arxiv.0907.0490,
title = {Tuning Molecule-Mediated Spin Coupling in Bottom-Up Fabricated Vanadium-TCNE Nanostructures},
author = {Daniel Wegner and Ryan Yamachika and Xiaowei Zhang and Yayu Wang and Tunna Baruah and Mark R. Pederson and Bart M. Bartlett and Jeffrey R. Long and Michael F. Crommie},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.0490},
year = {2013}
}
备注
15 pages, 4 figures, submitted to Phys. Rev. Lett