GdVO3 单晶中可调的温度诱导磁化强度跳变
强关联电子
2009-11-11 v1 材料科学
摘要
我们报道了在温度 TM = 0.8 K 下沿 GdVO3 单晶 a 轴观测到的温度诱导磁化强度跳变的新奇特征。在 TM 以下，该化合物不显示矫顽力和剩余磁化强度，表明其具有均匀的反铁磁结构。然而，我们将证明 TM 以下的磁性状态确实依赖于历史，且仅在样品升温穿过 TM 时才表现为磁化强度的不同跳变。这种磁记忆效应极不寻常，暗示了该化合物在表观均匀的反铁磁相中存在不同的畴排列。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0601066,
title = {Tunable temperature induced magnetization jump in a GdVO3 single crystal},
author = {L D Tung},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0601066},
year = {2009}
}
备注
17 pages, 8 Figures