超出短接限的 Sn-InAs 纳米线 transmon 的可调非谐性
介观与纳米尺度物理
2026-03-31 v1 超导电性
量子物理
摘要
transmon 量子比特的非谐性——即能级间距之差——是关键设计参数。在由混合型超导体-半导体 Josephson 元件构建的 transmon 中，由于栅极电压可调控 Josephson 能以及弱链透射率，非谐性是可调的。在 Sn-InAs 纳米线 transmon 中，我们使用双音 microwave 光谱法提取了范围于充电能 至小于 的非谐性。这一行为与多通道短接模型的预测相符后者在非谐性上设定下限为 。尽管在非谐性最低点，量子比特仍可实现协同操作。这一发现表明，受益于广泛电气可调非谐性的量子电路具有潜在应用前景。
引用
@article{arxiv.2603.26895,
title = {Tunable anharmonicity in Sn-InAs nanowire transmons beyond the short junction limit},
author = {Amrita Purkayastha and Amritesh Sharma and Param J. Patel and An-Hsi Chen and Connor P. Dempsey and Shreyas Asodekar and Subhayan Sinha and Maxime Tomasian and Mihir Pendharkar and Christopher J. Palmstrøm and Moïra Hocevar and Kun Zuo and Michael Hatridge and Sergey M. Frolov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2603.26895},
year = {2026}
}