通过碳纳米管局域栅极在单层MoSe2中实现激子态约束
介观与纳米尺度物理
2022-12-28 v1
摘要
我们成功利用碳纳米管(CNT)栅极电极将激子态(trions)约束于MoSe2器件的二维受限空间中。包含确定性干法转移对齐CNT的干法转移工艺,制得了具有CNT背栅电极的hBN封装MoSe2器件。与无CNT栅极电极的位置相比,通过CNT栅极电极施加电压显著改变了有CNT栅极电极位置的PL光谱。PL成像揭示出激子态的图像对比度沿下方CNT电极呈线性,与响应CNT局域栅极的一维约束一致。由PL图像获得的约束宽度为5.5 x 10^2 nm,与受衍射极限展宽的纳米尺度一维受限激子态相符。本工作展示了在纳米尺度上对激子态的电学调控,为未来新型光电子特性与激子器件奠定基础。
引用
@article{arxiv.2207.07342,
title = {Trion confinement in monolayer MoSe2 by carbon nanotube local gating},
author = {Takato Hotta and Haruna Nakajima and Shohei Chiashi and Taiki Inoue and Shigeo Maruyama and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Ryo Kitaura},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.07342},
year = {2022}
}