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微波驱动 Rydberg 原子在原子芯片上的捕获势阱与量子门

量子物理 2026-01-29 v2 原子物理

摘要

Rydberg 原子在直流电场中获得静电偶极矩。当原子靠近产生非均匀电场的表面(例如原子芯片上的吸附物)时,根据 Rydberg-Stark 本征态偶极矩的符号,原子可能受到指向或远离表面的力。我们展示,通过施加偏置电场并将期望的 Rydberg 态通过符合特定频率的微波场耦合到另一个偶极矩符号相反的 Rydberg 态,可以在指定距离处捕获原子。通过多分量微波场还可以创建多个 Rydberg 态的完美重叠捕获势阱。一对此类被捕获的 Rydberg 态可代表一个量子比特。最后,我们讨论在有限温度下,如何实现两个相距较远的原子 Rydberg 量子比特之间通过共用平面微波共振器进行 SWAP 门的最优实现。

关键词

引用

@article{arxiv.2504.10349,
  title  = {Trapping potentials and quantum gates for microwave-dressed Rydberg atoms on an atom chip},
  author = {Iason Tsiamis and Georgios Doultsinos and Andreas F. Tzortzakakis and Manuel Kaiser and Dominik Jakab and Andreas Günther and József Fortágh and David Petrosyan},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2504.10349},
  year   = {2026}
}

备注

9 pages, 5 figures