体硅中的横向超快激光直写

硅体内超快激光直写通常受强非线性传播效应限制，难以引发改性。通过采用光谱、时域和空间域的三重优化方法，我们证明了可在硅内部重复产生改性。我们的方法依赖于以约 2 μm 波长、利用时域畸变的飞秒脉冲进行辐照。这些脉冲的聚焦方式使得不同来源的球差相互抵消，这一点由点扩散函数分析所预测，并与非线性传播模拟高度吻合。我们还建立了逐脉冲的改性生长规律，从而能够根据辐照条件在硅内实现具有不同线形貌的横向直写。最后我们表明，单脉冲可重复改性的产生是硅内可靠横向直写的必要条件。