基于简单电路模型的量子点强关联电子输运性质
强关联电子
2015-06-25 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
数值计算表明，我们能够重现近期涉及纳米结构中非局域自旋控制的实验的主要结果（N. J. Craig等人，Science 304, 565 (2004)）。特别是，实验中发现的零偏压峰分裂在我们的研究中清晰可见。为理解这些结果，我们引入了一个简单的“电路模型”，并证明它能对实验提供良好的定性描述。主要思想是，分裂源于Fano反共振，该反共振由一个量子点相对于电流路径侧向连接所引起。这一情景为Craig等人的结果提供了一种替代RKKY机制的物理解释，本文亦对RKKY机制进行了讨论。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0505037,
title = {Transport properties of strongly correlated electrons in quantum dots using a simple circuit model},
author = {G. B. Martins and C. A. Busser and K. A. Al-Hassanieh and E. V. Anda and A. Moreo and E. Dagotto},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0505037},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 5 figures