Weyl 半金属与多-Weyl 半金属结间的输运

我们研究由厚度 $d$ 且具势垒势能 $U_0$ 的区域隔开的 Weyl 半金属（WSM）与多-Weyl 半金属（MSM）结间的输运。我们表明，在薄势垒极限下（$U_0 \to \infty$ 且 $d \to 0$，而 $\chi=U_0 d/(\hbar v_F)$ 保持有限，其中 $v_F$ 为低能电子速度，$\hbar$ 为普朗克常数），此类结的隧穿电导 $G$ 变得与 $\chi$ 无关。我们论证这种势垒无关性是结两侧 Weyl 节点拓扑缠绕数改变的结果，并指出在二维拓扑材料（如石墨烯或拓扑绝缘体）的结或具有相同拓扑缠绕数的 WSM 或 MSM 构成的结的隧穿电导中无类似现象。我们对涉及任意缠绕数 WSM 和 MSM 的正常-势垒-正常（NBN）与正常-势垒-超导（NBS）结研究了该现象，并讨论了可检验我们理论的实验。